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Apparecchiatura di misurazione della riflettanza spettrale KSA SpectR
Apparecchiatura di misurazione della riflettanza spettrale KSA SpectR
Dettagli del prodotto
descrizione dettagliata:

Apparecchiatura di misurazione della riflettanza spettrale KSA SpectRÈ un dispositivo di misura senza contatto utilizzato per misurare la riflettanza assoluta, il valore del colore L * a * b * e il tasso di crescita degli spettri. Questo strumento ha varie funzioni applicative per il monitoraggio online e il controllo dei processi, tra cui laser a emissione di superficie a cavità verticale (VCSEL), riflettori distribuiti Bragg (DBR) e altre strutture complesse dei dispositivi. Questo dispositivo è utilizzato principalmente per il monitoraggio e la misurazione della ricerca di produzione di film sottili come sputtering, MBE e MOCVD.

kSA SpectRIl gruppo specchio ottico è configurato con una forma geometrica di riflessione speculare. La tecnologia di misura utilizzata da k-space proviene dal Sandia National Laboratory negli Stati Uniti ed è stata autorizzata per l'uso da parte del laboratorio. In questo principio di misura, il programma si adatta automaticamente ad ogni nuovo strato coltivato sulla pellicola, trattando tutti i substrati e gli strati di pellicola esistenti come un nuovo substrato virtuale. KSA SpectR può misurare contemporaneamente più lunghezze d'onda, ognuna con potenziali vantaggi unici. Questo strumento può facilmente misurare caratteristiche spettrali personalizzate come minimo, massimo, punto di flessione o livello di dispersione di base di riflettanza all'interno di qualsiasi intervallo di lunghezze d'onda selezionato dal cliente.

Esempi di misurazione

Riflettanza spettrale di 850 nm DBR

Curve di riflettanza e adattamento a 532 e 940 nm quando crescono 250 nm AlAs e 500 nm GaAs sul substrato GaAs

Curve di adattamento in tempo reale del tasso di crescita, delle costanti ottiche e della riflettività durante il periodo di crescita di AlAs

Risultati non corretti della misurazione del pirometro e temperatura ECP calibrata per la crescita di AlAs e GaAs

Diagramma singolo del periodo di oscillazione di riflettività durante il processo di crescita del film sottile GaAs

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