Trasmettitore terahertz dello spazio libero (antenna fotoconduttiva terahertz)
Il trasmettitore terahertz nello spazio libero è confezionato con un'antenna fotoconduttiva e una lente in silicone ad alta impedenza. Di solito utilizziamo GaA (LT) prodotti a basse temperature-GaAsIn alternativa, GaBiAs può essere utilizzato come materiale fotoconduttivo. Diversi materiali fotoconduttivi sono adatti per diverse lunghezze d'onda di eccitazione.
Specifiche dei parametri del trasmettitore Terahertz
| LT-GaAsantenna |
GaBiAsantenna |
| Potere di eccitazione:< 50mW, valore tipico 30mW |
Potere di eccitazione:< 50mW |
| Tensione Bias:<50V, valore tipico 40V | Tensione Bias:< 40V |
| Lente in silicone ad alta resistenza integrata | Lente in silicone ad alta resistenza integrata |
| Lunghezza d'onda di eccitazione: 800 ± 40nm |
Lunghezza d'onda di eccitazione: 1050 ± 40nm |
| Incapsulare il telaio di regolazione bidimensionale XY, con un intervallo di regolazione di ± 3mm |
Incapsulare il telaio di regolazione bidimensionale XY, con un intervallo di regolazione di ± 3mm |
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Rilevatore terahertz spazio libero(Antenna fotoconduttiva Terahertz)
Specifiche dei parametri del rivelatore Terahertz
| Antenna LT GaAs | Antenna GaBiAs |
| Potere di eccitazione:< 50mW |
Potere di eccitazione:< venticinque |
| Preamplificatore integrato | raccoltadiventarePreamplificatore |
| Lente in silicone ad alta resistenza integrata | Lente in silicone ad alta resistenza integrata |
| Rilevamento della larghezza di banda Terahertz: [email protected] Laser Pulse Width |
Rilevare TerahertzcinturaLarghezza: [email protected] laserLarghezza impulso |
| Posizione di picco dello spettro terahertz: 400GHz |
Posizione di picco dello spettro terahertz: 400GHz |
| Lunghezza d'onda di eccitazione: 800 ± 40nm | Lunghezza d'onda di eccitazione: 1050 ± 40nm |
| Incapsulare il telaio di regolazione bidimensionale XY, con un intervallo di regolazione di ± 3mm | Incapsulare il telaio di regolazione bidimensionale XY, con un intervallo di regolazione di ± 3mm |
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